codice articolo del costruttoreIS42VM32160E-6BLI
Produttore / MarcaISSI, Integrated Silicon Solution Inc
quantité disponible33050 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
categoria di prodottoMemoria
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
IS42VM32160E-6BLI
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo di memoria
Volatile
Formato di memoria
DRAM
Tecnologia
SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria
512Mb (16M x 32)
Frequenza di clock
166MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina
-
Tempo di accesso
5.5ns
Interfaccia di memoria
Parallel
Tensione - Fornitura
1.7 V ~ 1.95 V
temperatura di esercizio
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore
90-TFBGA (8x13)
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
IS42VM32160E-6BLI

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Numero di parte fabbricante Descrizione
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IS42VM16160D-8BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IS42VM16160D-8BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IS42VM16160D-8BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IS42VM16160D-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
IS42VM16160E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
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