제조업체 부품 번호IS43DR86400C-3DBLI-TR
제조업체 / 브랜드ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
사용 가능한 수량126160 Pieces
단가Quote by Email ([email protected])
간단한 설명IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
제품 카테고리메모리
무연 여부 / RoHS 준수 여부Lead free / RoHS Compliant
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
배달 시간1-2 Days
날짜 코드 (D / C)New
데이터 시트 다운로드 IS43DR86400C-3DBLI-TR.pdf

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부품 번호
IS43DR86400C-3DBLI-TR
생산 상태 (수명주기)
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제조업체 리드 타임
6-8 weeks
조건
New & Unused, Original Sealed
배송 방식
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
부품 상태
Active
메모리 유형
Volatile
메모리 형식
DRAM
과학 기술
SDRAM - DDR2
메모리 크기
512Mb (64M x 8)
클럭 주파수
333MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
15ns
액세스 시간
450ps
메모리 인터페이스
Parallel
전압 - 공급
1.7 V ~ 1.9 V
작동 온도
-40°C ~ 85°C (TA)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
60-TFBGA
공급 업체 장치 패키지
60-TWBGA (8x10.5)
무게
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교체 부품
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