Référence fabricantIS46LR32160B-6BLA2
Fabricant / marqueISSI, Integrated Silicon Solution Inc
quantité disponible113730 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
IS46LR32160B-6BLA2
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
DRAM
La technologie
SDRAM - Mobile LPDDR
Taille mémoire
512Mb (16M x 32)
Fréquence d'horloge
166MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page
12ns
Temps d'accès
5.5ns
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
1.7 V ~ 1.95 V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 105°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
90-TFBGA
Package de périphérique fournisseur
90-TFBGA (8x13)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
IS46LR32160B-6BLA2

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Numéro d'article Fabricant La description
IS46LR16320B-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
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IS46LR32160B-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
IS46LR32160B-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
IS46LR32160B-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
IS46LR32160B-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA